SI7252DP-T1-GE3
Код товару: 122330
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SI7252DP-T1-GE3 за ціною від 54.68 грн до 202.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7252DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 25241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 44326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7252DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 59.37 грн |
| SI7252DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 25241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 196.39 грн |
| 10+ | 122.77 грн |
| 100+ | 84.66 грн |
| 500+ | 65.67 грн |
| SI7252DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.85 грн |
| 10+ | 130.09 грн |
| 100+ | 78.21 грн |
| 500+ | 64.87 грн |
| 1000+ | 61.24 грн |
| 3000+ | 54.68 грн |