SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 67.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 46W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 46W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7252DP-T1-GE3 за ціною від 56.46 грн до 223.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 46741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 46W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 46W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 26404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 46W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 31034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI7252DP-T1-GE3 Код товару: 122330
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI7252DP-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SI7252DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |