Продукція > SI7 > SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

si7252dp.pdf
Код товару: 122330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7252DP-T1-GE3 за ціною від 58.17 грн до 192.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 25241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.43 грн
10+120.30 грн
100+82.95 грн
500+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7252dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002936679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 doc62634.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+111.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 doc62634.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+112.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 25241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.43 грн
10+120.30 грн
100+82.95 грн
500+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 VISH-S-A0002936679-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7252DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 36.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 36.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 46W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 46W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 26097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.