Продукція > SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3


si7252dp.pdf
Код товару: 122330
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7252DP-T1-GE3 за ціною від 58.91 грн до 218.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.18 грн
9000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay doc62634.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.21 грн
10+136.32 грн
50+104.35 грн
100+88.25 грн
500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7252dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+218.56 грн
10+140.16 грн
100+84.26 грн
500+69.89 грн
1000+65.98 грн
3000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 VISHAY si7252dp.pdf Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+65.18 грн
9000+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 doc62634.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 doc62634.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 36.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+117.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 23958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.21 грн
10+136.32 грн
50+104.35 грн
100+88.25 грн
500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 44326 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.56 грн
10+140.16 грн
100+84.26 грн
500+69.89 грн
1000+65.98 грн
3000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252DP-T1-GE3 si7252dp.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7252DP-T1-GE3 - DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0997
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.