SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors


si7252dp.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34836 шт:

термін постачання 573-582 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.27 грн
10+ 140.15 грн
100+ 98.56 грн
500+ 81.24 грн
1000+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7252DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 46W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI7252DP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7252DP-T1-GE3
Код товару: 122330
si7252dp.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7252dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29.2A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 29W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7252dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7252dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 SI7252DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7252dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній
SI7252DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7252dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 29.2A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 29W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній