SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 41.35 грн |
| 6000+ | 37.83 грн |
| 15000+ | 36.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 0.0076 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0076ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 22W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 22W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7272DP-T1-GE3 за ціною від 34.87 грн до 97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 0.0076 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0076ohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 0.0076 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0076ohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 0.0076 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0076ohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0076ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 32109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 29500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 25; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15; Qg, нКл = 26; Rds = 9,3 мОм; Ugs(th) = 2,5 В; Р, Вт = 22; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; POWERPACK SOIC-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7272DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 26nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |