SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.26 грн |
| 6000+ | 34.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7272DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 22W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 22W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SI7272DP-T1-GE3 за ціною від 40.16 грн до 136.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 22W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 7307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 26447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
SI7272DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SI7272DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm Verlustleistung, p-Kanal: 22W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 22W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 175+ | 80.96 грн |
| 176+ | 80.42 грн |
| 177+ | 79.85 грн |
| 209+ | 65.16 грн |
| 250+ | 59.89 грн |
| 500+ | 54.17 грн |
| 1000+ | 46.55 грн |
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.11 грн |
| 10+ | 80.96 грн |
| 25+ | 80.42 грн |
| 50+ | 76.99 грн |
| 100+ | 60.33 грн |
| 250+ | 57.50 грн |
| 500+ | 54.17 грн |
| 1000+ | 46.55 грн |
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 7307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.86 грн |
| 10+ | 84.50 грн |
| 100+ | 57.12 грн |
| 500+ | 42.60 грн |
| 1000+ | 40.16 грн |
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 26447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI7272DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 25 A, 25 A, 7600 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7272DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 25, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 15, Qg, нКл = 26, Rds = 9,3 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 22, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPACK SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)