Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

si7288dp.pdf
Код товару: 160306
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7288DP-T1-GE3 за ціною від 33.04 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.09 грн
6000+36.99 грн
9000+35.68 грн
15000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.03 грн
10+90.52 грн
100+61.25 грн
500+45.71 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7288dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 40250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7288dp.pdf MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.09 грн
6000+36.99 грн
9000+35.68 грн
15000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 50416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.03 грн
10+90.52 грн
100+61.25 грн
500+45.71 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 40250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7288DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.