Продукція > VISHAY > SI7288DP-T1-GE3
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3 Vishay

si7288dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7288DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7288DP-T1-GE3 за ціною від 39.40 грн до 132.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 92542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.22 грн
500+74.83 грн
1500+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+71.81 грн
18+52.16 грн
47+49.13 грн
500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7288dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 92942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.96 грн
10+85.34 грн
100+62.35 грн
500+46.54 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142658-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.36 грн
50+95.24 грн
100+82.22 грн
500+74.83 грн
1500+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7288dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 45373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.99 грн
10+95.13 грн
100+61.68 грн
500+49.05 грн
1000+44.48 грн
3000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7288dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 15.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.85 грн
10+89.49 грн
18+62.59 грн
47+58.96 грн
500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7288dp.pdf MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3
Код товару: 160306
Додати до обраних Обраний товар

si7288dp.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 SI7288DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7288dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.