Продукція > VISHAY > SI7308DN-T1-E3
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3 Vishay

si7308dn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
322+43.90 грн
1000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7308DN-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7308DN-T1-E3 за ціною від 35.16 грн до 54.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.99 грн
15+51.27 грн
25+50.76 грн
50+48.45 грн
100+41.80 грн
250+39.72 грн
500+37.63 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay Semiconductors 73419.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 19931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0000765761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0000765761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 VISHAY 73419.pdf 09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+54.99 грн
15+51.27 грн
25+50.76 грн
50+48.45 грн
100+41.80 грн
250+39.72 грн
500+37.63 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 19931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 VISH-S-A0000765761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7308DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 VISH-S-A0000765761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7308DN-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.