| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 322+ | 43.31 грн |
| 1000+ | 40.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7308DN-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7308DN-T1-E3 за ціною від 29.00 грн до 133.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 19931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
на замовлення 3897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI7308DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI7308DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |