Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7308dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.71 грн
6000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7308DN-T1-GE3 за ціною від 31.12 грн до 104.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.80 грн
210+67.50 грн
235+60.21 грн
244+55.79 грн
500+41.79 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7308dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+63.64 грн
100+44.52 грн
500+33.75 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay si7308dn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.32 грн
10+84.84 грн
25+83.91 грн
100+63.35 грн
250+56.38 грн
500+46.68 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7308dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+70.80 грн
210+67.50 грн
235+60.21 грн
244+55.79 грн
500+41.79 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+63.64 грн
100+44.52 грн
500+33.75 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.32 грн
10+84.84 грн
25+83.91 грн
100+63.35 грн
250+56.38 грн
500+46.68 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.