Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7308DN-T1-GE3
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7308dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.26 грн
6000+ 28.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7308DN-T1-GE3 за ціною від 30.01 грн до 81.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7308dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 9309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.11 грн
10+ 59.53 грн
100+ 46.31 грн
500+ 36.84 грн
1000+ 30.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7308dn.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 39581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.78 грн
10+ 65.03 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.99 грн
1000+ 32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7308DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7308dn.pdf SI7308DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній