Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7309DN-T1-E3
SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7309dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.74 грн
6000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI7309DN-T1-E3 за ціною від 29.36 грн до 95.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 8852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+58.56 грн
100+45.55 грн
500+36.23 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7309dn.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.04 грн
10+65.58 грн
100+44.40 грн
500+36.26 грн
1000+30.68 грн
3000+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7309dn.pdf 09+
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3
Код товару: 149663
Додати до обраних Обраний товар

si7309dn.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7309dn.pdf SI7309DN-T1-E3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.