SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI7309DN-T1-GE3 за ціною від 26.42 грн до 78.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7309DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V |
на замовлення 7939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7309DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 53676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7309DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7309DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.092 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7309DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 19.8W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 146mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7309DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 19.8W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 146mΩ |
товар відсутній |