на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 33.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7315DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7315DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.315 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7315DN-T1-GE3 за ціною від 30.84 грн до 127.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7315DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.315 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 16965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V |
на замовлення 12824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 26214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -10A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A On-state resistance: 315mΩ кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7315DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A; 33W Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -10A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -150V Drain current: -8.9A On-state resistance: 315mΩ |
товару немає в наявності |