SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.60 грн |
| 6000+ | 30.82 грн |
| 9000+ | 29.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7317DN-T1-GE3 за ціною від 32.26 грн до 80.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7317DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7317DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP |
на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7317DN-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7317DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 22397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7317DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 32659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7317DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 211+ | 67.07 грн |
| 250+ | 56.53 грн |
| 500+ | 49.97 грн |
| 1000+ | 41.10 грн |
| SI7317DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2764+ | 71.21 грн |
| SI7317DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 75.98 грн |
| 12+ | 67.07 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 48.18 грн |
| 1000+ | 38.05 грн |
| SI7317DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.55 грн |
| 10+ | 64.01 грн |
| 100+ | 49.78 грн |
| 500+ | 39.60 грн |
| 1000+ | 32.26 грн |
| SI7317DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)