SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7317dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.41 грн
6000+32.47 грн
9000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SI7317DN-T1-GE3 за ціною від 31.08 грн до 84.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+58.69 грн
250+49.47 грн
500+43.72 грн
1000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2764+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2764
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+71.23 грн
12+62.88 грн
100+53.00 грн
500+45.17 грн
1000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7317dn.pdf MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.60 грн
10+61.24 грн
100+44.04 грн
500+39.01 грн
1000+33.90 грн
3000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7317dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.89 грн
10+67.46 грн
100+52.46 грн
500+41.73 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.