Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7317DN-T1-GE3
SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7317dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+34.02 грн
6000+31.20 грн
9000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SI7317DN-T1-GE3 за ціною від 30.63 грн до 81.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+69.46 грн
250+58.55 грн
500+51.75 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7317dn.pdf MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+72.52 грн
10+60.35 грн
100+43.39 грн
500+38.44 грн
1000+33.41 грн
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2764+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay si7317dn.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.69 грн
12+69.46 грн
100+58.55 грн
500+49.90 грн
1000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 SI7317DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7317dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.56 грн
10+64.81 грн
100+50.40 грн
500+40.09 грн
1000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
211+69.46 грн
250+58.55 грн
500+51.75 грн
1000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.52 грн
10+60.35 грн
100+43.39 грн
500+38.44 грн
1000+33.41 грн
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2764+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.69 грн
12+69.46 грн
100+58.55 грн
500+49.90 грн
1000+39.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3 si7317dn.pdf
SI7317DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.56 грн
10+64.81 грн
100+50.40 грн
500+40.09 грн
1000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.