Продукція > VISHAY > SI7322ADN-T1-GE3
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

si7322adn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.28 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 16.63 грн
3000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7322ADN-T1-GE3 за ціною від 16.24 грн до 47.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.19 грн
21+ 36.62 грн
100+ 29.28 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 16.63 грн
3000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7322adn.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 165889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.12 грн
10+ 40.84 грн
100+ 24.23 грн
500+ 20.23 грн
1000+ 17.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
товар відсутній
SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній