Продукція > VISHAY > SI7322ADN-T1-GE3
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

si7322adn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.27 грн
500+23.60 грн
1000+18.32 грн
3000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI7322ADN-T1-GE3 за ціною від 16.91 грн до 53.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.45 грн
22+38.87 грн
100+28.06 грн
500+22.53 грн
1000+18.89 грн
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7322adn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 175755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.04 грн
10+42.22 грн
100+26.19 грн
500+21.70 грн
1000+19.42 грн
6000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322adn.pdf SI7322ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.