Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7322DN-T1-E3
SI7322DN-T1-E3

SI7322DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7322dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.15 грн
6000+45.99 грн
9000+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7322DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7322DN-T1-E3 за ціною від 44.95 грн до 145.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7322DN-T1-E3 SI7322DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 19137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.96 грн
10+95.56 грн
100+74.30 грн
500+59.10 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3 SI7322DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7322dn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 77243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.05 грн
10+108.29 грн
100+68.64 грн
500+54.81 грн
1000+50.39 грн
3000+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si7322dn-240991.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.