Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7322DN-T1-GE3
SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7322dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+50.19 грн
6000+46.03 грн
9000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7322DN-T1-GE3 за ціною від 48.19 грн до 120.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.98 грн
10+95.62 грн
100+74.36 грн
500+59.15 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix si7322dn-240991.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
SI7322DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.98 грн
10+95.62 грн
100+74.36 грн
500+59.15 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn-240991.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.