Продукція > VISHAY > SI7322DN-T1-GE3
SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3 Vishay

si7322dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7322DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7322DN-T1-GE3 за ціною від 39.39 грн до 108.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.02 грн
6000+ 41.29 грн
9000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 16482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.6 грн
10+ 85.8 грн
100+ 66.7 грн
500+ 53.06 грн
1000+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7322DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7322dn-240991.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI7322DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7322dn.pdf SI7322DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній