на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.85 грн |
| 10+ | 54.6 грн |
| 100+ | 32.36 грн |
| 500+ | 27.04 грн |
| 1000+ | 23.04 грн |
| 3000+ | 20.11 грн |
| 6000+ | 19.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7326DN-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI7326DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товар відсутній |
|
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|
|
|
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 3.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.5W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |