на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.25 грн |
| 10+ | 61.90 грн |
| 100+ | 36.69 грн |
| 500+ | 30.65 грн |
| 1000+ | 26.12 грн |
| 3000+ | 22.80 грн |
| 6000+ | 21.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7326DN-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI7326DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7326DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI7326DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |