| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.91 грн |
| 10+ | 57.26 грн |
| 100+ | 33.94 грн |
| 500+ | 28.35 грн |
| 1000+ | 24.16 грн |
| 3000+ | 21.09 грн |
| 6000+ | 20.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7326DN-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI7326DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI7326DN-T1-E3 | VISHAY |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7326DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



