Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3 Vishay / Siliconix

Name: SI7326DN-T1-E3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 141844-4
Price: 346.34999999999997 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 10A 1.5W

на замовлення 2345 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	69.27 грн
10+	60.18 грн
100+	35.67 грн
500+	29.80 грн
1000+	25.39 грн
3000+	22.16 грн
6000+	21.28 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7326DN-T1-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI7326DN-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI7326DN-T1-E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : VISHAY	07+	на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : VISHAY	SI7326DN-T1-E3 SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7326DN-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.