Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7326DN-T1-GE3
SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7326dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.33 грн
10+54.81 грн
100+37.96 грн
500+29.76 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7326DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI7326DN-T1-GE3 за ціною від 21.89 грн до 71.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7326dn.pdf MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.25 грн
10+60.94 грн
100+36.69 грн
500+30.65 грн
1000+26.12 грн
3000+23.25 грн
6000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Виробник : Vishay si7326dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3 SI7326DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7326dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.