
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 82.06 грн |
10+ | 76.67 грн |
25+ | 76.39 грн |
100+ | 71.54 грн |
250+ | 65.88 грн |
500+ | 59.09 грн |
1000+ | 52.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7336ADP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7336ADP-T1-E3 за ціною від 56.79 грн до 154.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 26750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 6026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 7557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 5.4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |