Продукція > VISHAY > SI7336ADP-T1-E3
SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3 Vishay


si7336adp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.67 грн
10+76.30 грн
25+76.02 грн
100+71.20 грн
250+65.56 грн
500+58.80 грн
1000+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7336ADP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7336ADP-T1-E3 за ціною від 56.52 грн до 151.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay si7336adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+87.95 грн
149+81.87 грн
154+76.67 грн
250+70.60 грн
500+63.33 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay si7336adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+98.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay si7336adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7336adp.pdf MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
на замовлення 28436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.85 грн
10+113.10 грн
100+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.63 грн
10+111.46 грн
100+100.70 грн
500+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf 05+ SOP8
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf 07 08N
на замовлення 7557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf 07+ SOP-8
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay si7336adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Виробник : Vishay si7336adp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.