SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 85.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI7336ADP-T1-E3 за ціною від 54.12 грн до 255.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V |
на замовлення 25253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 7823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
05+ SOP8 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07 08N |
на замовлення 7557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
07+ SOP-8 |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI7336ADP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |