SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7336ADP-T1-GE3 за ціною від 47.25 грн до 142.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V |
на замовлення 7397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI7336ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFETtariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V SVHC: Lead Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V directShipCharge: 25 |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V |
на замовлення 7966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI7336ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
08+ |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 130.49 грн |
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.40 грн |
| 10+ | 92.80 грн |
| 100+ | 66.08 грн |
| 500+ | 50.88 грн |
| 1000+ | 47.25 грн |
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
directShipCharge: 25
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
на замовлення 7966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7336ADP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
08+
08+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





