Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7336ADP-T1-GE3
SI7336ADP-T1-GE3

SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7336adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.98 грн
6000+ 47.25 грн
9000+ 45.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7336ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI7336ADP-T1-GE3 за ціною від 48.5 грн до 124.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 11830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.24 грн
10+ 90.41 грн
100+ 71.98 грн
500+ 57.16 грн
1000+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7336adp.pdf MOSFET 30V 30A 5.4W 3.0mohm @ 10V
на замовлення 13399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.45 грн
10+ 110.49 грн
100+ 76.86 грн
500+ 63.48 грн
1000+ 56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7336ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7336adp.pdf 08+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7336ADP-T1-GE3 SI7336ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049647.pdf Description: VISHAY - SI7336ADP-T1-GE3 - N CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 5.4
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead
товар відсутній
SI7336ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7336adp.pdf SI7336ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній