SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix


si7370dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+74.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7370DP-T1-E3 за ціною від 73.09 грн до 239.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7370dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.08 грн
10+147.52 грн
100+102.20 грн
500+86.69 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.46 грн
10+149.81 грн
100+103.82 грн
500+79.01 грн
1000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.08 грн
10+147.52 грн
100+102.20 грн
500+86.69 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.46 грн
10+149.81 грн
100+103.82 грн
500+79.01 грн
1000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Виробник: VISHAY
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.