Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7370DP-T1-GE3
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7370dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+111.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7370DP-T1-GE3 за ціною від 89.02 грн до 244.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7370dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 46862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.65 грн
10+136.21 грн
100+94.17 грн
500+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.31 грн
10+211.13 грн
100+169.67 грн
500+130.83 грн
1000+108.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7370dp.pdf
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.