Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7370DP-T1-GE3
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7370dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7370DP-T1-GE3 за ціною від 81.91 грн до 221.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7370dp.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 47545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.37 грн
10+ 147.8 грн
100+ 105.22 грн
250+ 97.23 грн
500+ 88.57 грн
1000+ 82.58 грн
3000+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.15 грн
10+ 191.11 грн
100+ 153.59 грн
500+ 118.42 грн
1000+ 98.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7370DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7370dp.pdf
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI7370DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній