Технічний опис SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A, Case: PowerPAK® SO8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 56W, Gate charge: 122nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 24A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 6.6mΩ.
Інші пропозиції SI7374DP-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7374DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7374DP-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 56W Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 6.6mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7374DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7374DP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.6mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 122nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6.6mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.