на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.65 грн |
| 10+ | 91.13 грн |
| 100+ | 61.6 грн |
| 500+ | 52.21 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 19A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7386DP-T1-E3 за ціною від 98.5 грн до 114.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7386DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SI7386DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
2007 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| SI7386DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||
|
|
SI7386DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
|||||||
| SI7386DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |