SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix


si7386dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI7386DP-T1-E3 за ціною від 53.49 грн до 201.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.00 грн
10+93.07 грн
100+64.29 грн
500+54.09 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7386dp.pdf MOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+201.88 грн
10+128.05 грн
100+75.99 грн
500+61.09 грн
1000+56.50 грн
3000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.00 грн
10+93.07 грн
100+64.29 грн
500+54.09 грн
1000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.88 грн
10+128.05 грн
100+75.99 грн
500+61.09 грн
1000+56.50 грн
3000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.