Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7386DP-T1-E3
SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7386dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7386DP-T1-E3 за ціною від 52.96 грн до 143.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
10+91.73 грн
100+63.37 грн
500+53.31 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7386dp.pdf MOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf 2007
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.90 грн
10+91.73 грн
100+63.37 грн
500+53.31 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30 Volt 19 Amp 5W
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Виробник: VISHAY
2007
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.