SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.29 грн |
| 6000+ | 43.26 грн |
| 15000+ | 42.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 19A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 5W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI7386DP-T1-GE3 за ціною від 45.79 грн до 111.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V |
на замовлення 13565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 19A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |