Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7386DP-T1-GE3
SI7386DP-T1-GE3

SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7386dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI7386DP-T1-GE3 за ціною від 39.30 грн до 173.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 28706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.78 грн
10+64.20 грн
100+49.95 грн
500+39.74 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7386dp.pdf MOSFETs 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 13348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.74 грн
10+120.32 грн
100+75.53 грн
500+60.41 грн
1000+58.57 грн
3000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 Виробник : Vishay 73108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.