SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 43.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI7386DP-T1-GE3 за ціною від 39.01 грн до 169.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V |
на замовлення 28706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 19A 5.0W 7.0mohm @ 10V |
на замовлення 13348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 |
|
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 9.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 19A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7386DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 9.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 19A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A |
товару немає в наявності |