Інші пропозиції SI7390DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7390DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
|
SI7390DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7390DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC |
товару немає в наявності |

