Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI7390DP-T1-GE3

SI7390DP-T1-GE3

si7390dp.pdf

Код товару: 147839

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції SI7390DP-T1-GE3

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	SI7390DP-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SI7390DP-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SI7390DP-T1-GE3	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	SI7390DP-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET®	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.