Інші пропозиції SI7390DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7390DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
SI7390DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7390DP-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W Mounting: SMD On-state resistance: 13.5mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 15A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7390DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI7390DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7390DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 15A; Idm: 50A; 5W
Mounting: SMD
On-state resistance: 13.5mΩ
Power dissipation: 5W
Drain current: 15A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.



