SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix


71738.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7414DN-T1-E3 за ціною від 47.22 грн до 208.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Vishay Semiconductors 71738.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.24 грн
10+122.39 грн
100+71.89 грн
500+59.56 грн
1000+52.79 грн
3000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.54 грн
10+129.81 грн
100+89.24 грн
500+67.47 грн
1000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.24 грн
10+122.39 грн
100+71.89 грн
500+59.56 грн
1000+52.79 грн
3000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.54 грн
10+129.81 грн
100+89.24 грн
500+67.47 грн
1000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.