на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 42.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7414DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Інші пропозиції SI7414DN-T1-GE3 за ціною від 42.83 грн до 133.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 49368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 7702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 5689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 |
|
на замовлення 25500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.7A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 8.7A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |