Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7414DN-T1-GE3
SI7414DN-T1-GE3

SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

71738.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції SI7414DN-T1-GE3 за ціною від 43.27 грн до 131.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.39 грн
10+86.00 грн
100+60.90 грн
500+46.69 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71738.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000765491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 7267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
SI7414DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.39 грн
10+86.00 грн
100+60.90 грн
500+46.69 грн
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
SI7414DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 VISH-S-A0000765491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7414DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7414DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.021 ohm, 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 7267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.