на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.35 грн |
| 6000+ | 38.59 грн |
| 9000+ | 38.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7415DN-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7415DN-T1-E3 за ціною від 40.94 грн до 111.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 98236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 46303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7415DN-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7415DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.7A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7415DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.7A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |