Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7415DN-T1-E3
SI7415DN-T1-E3

SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix

si7415dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7415DN-T1-E3 за ціною від 49.64 грн до 220.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7415dn.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.89 грн
10+110.65 грн
100+66.59 грн
500+52.99 грн
1000+52.50 грн
3000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 80025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.19 грн
10+112.02 грн
100+76.58 грн
500+57.66 грн
1000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7415dn.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.10 грн
10+144.55 грн
25+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7415dn.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Виробник : Vishay si7415dn.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 Виробник : VISHAY si7415dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.6A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.