SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7415DN-T1-E3 за ціною від 49.72 грн до 225.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7415DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 14177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI7415DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V |
на замовлення 76227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI7415DN-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SI7415DN-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7415DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.15 грн |
| 10+ | 110.82 грн |
| 100+ | 66.69 грн |
| 500+ | 53.07 грн |
| 1000+ | 52.58 грн |
| 3000+ | 49.72 грн |
| SI7415DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 76227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.11 грн |
| 10+ | 110.75 грн |
| 100+ | 75.74 грн |
| 500+ | 57.02 грн |
| 1000+ | 52.75 грн |
| SI7415DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.62 грн |
| 10+ | 148.18 грн |
| 25+ | 77.60 грн |
| SI7415DN-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




