Продукція > VISHAY > SI7415DN-T1-GE3
SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3 Vishay


si7415dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 3.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7415DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7415DN-T1-GE3 за ціною від 51.74 грн до 189.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.94 грн
6000+52.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012397564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.054 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.66 грн
10+114.44 грн
100+88.09 грн
500+65.67 грн
1000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7415dn.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 50423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.10 грн
10+113.94 грн
100+77.06 грн
500+61.50 грн
1000+56.22 грн
3000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 27094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.74 грн
10+117.58 грн
100+80.42 грн
500+60.54 грн
1000+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.