Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7415DN-T1-GE3
SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7415dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.24 грн
6000+47.20 грн
9000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI7415DN-T1-GE3 за ціною від 50.25 грн до 209.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Vishay si7415dn.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Vishay si7415dn.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 15819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.79 грн
10+111.79 грн
100+76.46 грн
500+57.56 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7415dn.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.13 грн
10+120.77 грн
100+71.19 грн
500+57.37 грн
1000+53.07 грн
3000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0012397564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.69 грн
10+134.86 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 15819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.79 грн
10+111.79 грн
100+76.46 грн
500+57.56 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.13 грн
10+120.77 грн
100+71.19 грн
500+57.37 грн
1000+53.07 грн
3000+50.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 VISH-S-A0012397564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+209.69 грн
10+134.86 грн
100+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.