SI7415DN-T1-GE3

SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7415dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.29 грн
6000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7415DN-T1-GE3 за ціною від 43.60 грн до 184.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7415dn.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 37742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.10 грн
10+108.62 грн
100+64.75 грн
500+51.95 грн
1000+50.58 грн
3000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7415dn.pdf Description: VISHAY - SI7415DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.90 грн
10+110.99 грн
100+76.18 грн
500+56.72 грн
1000+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 27094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.02 грн
10+114.04 грн
100+78.00 грн
500+58.72 грн
1000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Виробник : Vishay doc71691.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.