Технічний опис SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -9.8A, Gate charge: 40nC, On-state resistance: 43mΩ, Power dissipation: 3.6W, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8.
Інші пропозиції SI7421DN-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7421DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8 |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI7421DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V |
на замовлення 7833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
SI7421DN-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI7421DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI7421DN-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.8A Gate charge: 40nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 |
товару немає в наявності |