на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.10 грн |
| 10+ | 94.19 грн |
| 100+ | 63.46 грн |
| 500+ | 53.74 грн |
| 1000+ | 43.86 грн |
| 3000+ | 41.64 грн |
| 6000+ | 39.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7421DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -9.8A, Gate charge: 40nC, On-state resistance: 43mΩ, Power dissipation: 3.6W, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8.
Інші пропозиції SI7421DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7421DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI7421DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
товару немає в наявності |
|
| SI7421DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -9.8A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -9.8A Gate charge: 40nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 3.6W Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 |
товару немає в наявності |