SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 45.79 грн |
| 6000+ | 41.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7423DN-T1-E3 за ціною від 43.96 грн до 110.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7423DN-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7423DN-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V |
на замовлення 14089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7423DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.27 грн |
| 10+ | 87.21 грн |
| 100+ | 67.84 грн |
| 500+ | 53.96 грн |
| 1000+ | 43.96 грн |
| SI7423DN-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
MOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)