SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix


Si7423DN.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+46.42 грн
6000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7423DN-T1-E3 за ціною від 36.30 грн до 151.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix Si7423DN.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.80 грн
10+88.42 грн
100+68.78 грн
500+54.71 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 Vishay Semiconductors Si7423DN.PDF MOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.30 грн
10+95.64 грн
100+56.10 грн
500+44.69 грн
1000+41.02 грн
3000+36.37 грн
9000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.80 грн
10+88.42 грн
100+68.78 грн
500+54.71 грн
1000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 14089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.30 грн
10+95.64 грн
100+56.10 грн
500+44.69 грн
1000+41.02 грн
3000+36.37 грн
9000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.