Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SI7423DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 4812471-4
Price: 377.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V

на замовлення 16937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	125.88 грн
10+	102.23 грн
100+	68.99 грн
500+	58.43 грн
1000+	47.64 грн
3000+	42.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Drain current: -11.7A, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 56nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.8W, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7423DN-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI7423DN-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Drain current: -11.7A Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 56nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7423DN-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI7423DN-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Drain current: -11.7A Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 56nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.