Технічний опис SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -30A, Power dissipation: 3.8W, Gate charge: 56nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: -11.7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 30mΩ.
Інші пропозиції SI7423DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7423DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 3.8W Gate charge: 56nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -11.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PowerPAK® 1212-8 On-state resistance: 30mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7423DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI7423DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 30mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.