SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


72582.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
на замовлення 16937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.05 грн
10+ 89.38 грн
100+ 60.31 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 41.65 грн
3000+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -11.7A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 3.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 56nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -30A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI7423DN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7423DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7423DN-T1-GE3 SI7423DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72582.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товар відсутній
SI7423DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
товар відсутній