SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 16937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.42 грн |
| 10+ | 105.93 грн |
| 100+ | 71.48 грн |
| 500+ | 60.54 грн |
| 1000+ | 49.36 грн |
| 3000+ | 43.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Drain current: -11.7A, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 56nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.8W, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції SI7423DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7423DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7423DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Drain current: -11.7A Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 56nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |