SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.37 грн |
| 10+ | 92.89 грн |
| 100+ | 62.68 грн |
| 500+ | 53.09 грн |
| 1000+ | 43.28 грн |
| 3000+ | 38.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7423DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Drain current: -11.7A, Pulsed drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 56nC, On-state resistance: 30mΩ, Power dissipation: 3.8W, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції SI7423DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7423DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7423DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Drain current: -11.7A Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 56nC On-state resistance: 30mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI7423DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI7423DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Drain current: -11.7A
Pulsed drain current: -30A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.