Продукція > VISHAY > SI7430DP-T1-E3
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3 Vishay

si7430dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7430DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7430DP-T1-E3 за ціною від 101.51 грн до 230.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.97 грн
10+171.47 грн
100+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7430dp.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.33 грн
10+190.74 грн
100+134.31 грн
500+127.70 грн
1000+122.56 грн
3000+115.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3
Код товару: 173696
Додати до обраних Обраний товар

si7430dp.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.