Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7430dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+89.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7430DP-T1-GE3 за ціною від 92.33 грн до 317.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+153.77 грн
25+152.47 грн
100+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.60 грн
92+153.77 грн
93+152.47 грн
133+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.37 грн
500+145.08 грн
1000+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7430dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.65 грн
10+181.56 грн
100+114.89 грн
500+97.27 грн
3000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.49 грн
10+177.99 грн
100+124.97 грн
500+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.41 грн
10+211.33 грн
100+157.88 грн
500+124.46 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+179.60 грн
10+153.77 грн
25+152.47 грн
100+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
79+179.60 грн
92+153.77 грн
93+152.47 грн
133+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+183.37 грн
500+145.08 грн
1000+131.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+274.65 грн
10+181.56 грн
100+114.89 грн
500+97.27 грн
3000+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+281.49 грн
10+177.99 грн
100+124.97 грн
500+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+317.41 грн
10+211.33 грн
100+157.88 грн
500+124.46 грн
1000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.