Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7430DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7430dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+89.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 5.2W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції SI7430DP-T1-GE3 за ціною від 96.75 грн до 306.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.20 грн
10+155.14 грн
25+153.83 грн
100+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+181.20 грн
92+155.14 грн
93+153.83 грн
133+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.41 грн
66+216.34 грн
69+201.22 грн
100+152.51 грн
250+137.44 грн
500+127.30 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.15 грн
10+178.51 грн
50+138.32 грн
100+117.63 грн
500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7430dp.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+306.98 грн
10+171.95 грн
100+121.67 грн
500+101.15 грн
3000+96.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 5.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.20 грн
10+155.14 грн
25+153.83 грн
100+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+181.20 грн
92+155.14 грн
93+153.83 грн
133+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+255.41 грн
66+216.34 грн
69+201.22 грн
100+152.51 грн
250+137.44 грн
500+127.30 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.15 грн
10+178.51 грн
50+138.32 грн
100+117.63 грн
500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+306.98 грн
10+171.95 грн
100+121.67 грн
500+101.15 грн
3000+96.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 5.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.