Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7430DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1995561-3
Price: 263640.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

на замовлення 5100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	87.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.2W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7430DP-T1-GE3 за ціною від 96.50 грн до 277.63 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7430DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.20 грн
10+	153.43 грн
25+	152.13 грн
100+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	179.20 грн
92+	153.43 грн
93+	152.13 грн
133+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 79 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	252.59 грн
66+	213.95 грн
69+	199.00 грн
100+	150.82 грн
250+	135.92 грн
500+	125.90 грн
1000+	97.99 грн

Мінімальне замовлення: 56 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	277.63 грн
10+	175.55 грн
100+	123.26 грн
500+	96.50 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 5044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	179.20 грн
10+	153.43 грн
25+	152.13 грн
100+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
79+	179.20 грн
92+	153.43 грн
93+	152.13 грн
133+	102.81 грн

Мінімальне замовлення: 79 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
56+	252.59 грн
66+	213.95 грн
69+	199.00 грн
100+	150.82 грн
250+	135.92 грн
500+	125.90 грн
1000+	97.99 грн

Мінімальне замовлення: 56 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	277.63 грн
10+	175.55 грн
100+	123.26 грн
500+	96.50 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 5044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 2861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 5046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.