Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7431DP-T1-GE3
SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si7431dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+356.00 грн
10+232.88 грн
100+143.84 грн
500+126.39 грн
1000+124.29 грн
3000+118.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7431DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 5.4W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm.

Інші пропозиції SI7431DP-T1-GE3 за ціною від 124.88 грн до 2286.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.07 грн
10+241.09 грн
100+171.78 грн
500+133.48 грн
1000+124.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017061268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2286.74 грн
5+2132.77 грн
10+1937.25 грн
50+1532.60 грн
100+1323.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+377.07 грн
10+241.09 грн
100+171.78 грн
500+133.48 грн
1000+124.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 VISH-S-A0017061268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7431DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7431DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 5.4W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2286.74 грн
5+2132.77 грн
10+1937.25 грн
50+1532.60 грн
100+1323.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.