SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 107.34 грн |
| 6000+ | 99.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI7434DP-T1-GE3 за ціною від 103.02 грн до 285.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7434DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7434DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|