Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7439DP-T1-GE3
SI7439DP-T1-GE3

SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7439dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7439DP-T1-GE3 за ціною від 127.52 грн до 387.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7439dp.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.80 грн
10+260.39 грн
25+218.07 грн
100+182.35 грн
250+177.04 грн
500+161.84 грн
1000+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7439dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.12 грн
10+247.41 грн
100+176.07 грн
500+136.69 грн
1000+127.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.