SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 123.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7439DP-T1-GE3 за ціною від 118.64 грн до 274.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7439DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V |
на замовлення 7547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7439DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7439DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -5.2A; Idm: -50A Drain-source voltage: -150V Drain current: -5.2A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI7439DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -5.2A; Idm: -50A Drain-source voltage: -150V Drain current: -5.2A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 135nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |