на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 68.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7450DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 88.67 грн до 249.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 4854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 16655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 Код товару: 86304
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |