Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

si7450dp.pdf
Код товару: 86304
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 83.17 грн до 229.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+87.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.20 грн
10+131.15 грн
25+129.11 грн
100+122.44 грн
250+111.55 грн
500+105.34 грн
1000+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+133.20 грн
107+131.15 грн
108+129.11 грн
110+122.44 грн
250+111.55 грн
500+105.34 грн
1000+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.75 грн
10+178.73 грн
100+124.20 грн
250+114.48 грн
500+104.08 грн
1000+88.81 грн
3000+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.90 грн
10+142.14 грн
100+109.61 грн
500+89.64 грн
1000+83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.08 грн
50+161.09 грн
100+125.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7450dp-241032.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.