на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 126.47 грн |
| 10+ | 115.54 грн |
| 25+ | 114.67 грн |
| 50+ | 109.52 грн |
| 100+ | 94.04 грн |
| 250+ | 85.87 грн |
| 500+ | 83.07 грн |
| 1000+ | 80.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7450DP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 77.84 грн до 207.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 16655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 Код товару: 86304 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI7450DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Application: automotive industry Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |