Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3

si7450dp.pdf
Код товару: 86304
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 85.55 грн до 303.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.83 грн
10+137.68 грн
25+135.54 грн
100+128.54 грн
250+117.10 грн
500+110.58 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+139.83 грн
107+137.68 грн
108+135.54 грн
110+128.54 грн
250+117.10 грн
500+110.58 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.17 грн
10+172.47 грн
100+120.65 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+303.05 грн
10+195.98 грн
100+123.87 грн
500+103.60 грн
1000+96.09 грн
3000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+139.83 грн
10+137.68 грн
25+135.54 грн
100+128.54 грн
250+117.10 грн
500+110.58 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+139.83 грн
107+137.68 грн
108+135.54 грн
110+128.54 грн
250+117.10 грн
500+110.58 грн
1000+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.17 грн
10+172.47 грн
100+120.65 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.05 грн
10+195.98 грн
100+123.87 грн
500+103.60 грн
1000+96.09 грн
3000+90.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.