Продукція > VISHAY > SI7450DP-T1-GE3
SI7450DP-T1-GE3

SI7450DP-T1-GE3 Vishay

si7450dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7450DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 79.57 грн до 245.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+108.39 грн
10+106.72 грн
25+105.06 грн
100+99.63 грн
250+90.77 грн
500+85.72 грн
1000+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+116.72 грн
107+114.93 грн
108+113.14 грн
110+107.30 грн
250+97.75 грн
500+92.31 грн
1000+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012091130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.14 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.21 грн
10+144.91 грн
100+111.75 грн
500+91.39 грн
1000+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.88 грн
10+189.51 грн
100+131.69 грн
250+121.39 грн
500+110.35 грн
1000+94.17 грн
3000+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012091130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.2 A, 0.065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+245.93 грн
50+163.41 грн
100+122.14 грн
500+94.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si7450dp-241032.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3
Код товару: 86304
Додати до обраних Обраний товар

si7450dp.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.2A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.