Інші пропозиції SI7450DP-T1-GE3 за ціною від 84.48 грн до 278.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI7450DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI7450DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI7450DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 88.68 грн |
| SI7450DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 224.40 грн |
| 10+ | 144.39 грн |
| 100+ | 111.35 грн |
| 500+ | 91.06 грн |
| 1000+ | 84.48 грн |
| SI7450DP-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 278.76 грн |
| 10+ | 180.75 грн |
| 100+ | 109.95 грн |
| 500+ | 90.22 грн |
| 3000+ | 85.28 грн |