Продукція > VISHAY > SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3

SI7450DP-T1-E3 Vishay

si7450dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7450DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7450DP-T1-E3 за ціною від 83.67 грн до 240.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7450dp.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI7450DP
на замовлення 25254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.30 грн
10+182.74 грн
100+126.54 грн
250+121.39 грн
500+106.67 грн
1000+91.22 грн
3000+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.33 грн
10+170.51 грн
100+119.26 грн
500+91.39 грн
1000+84.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf 1035+ QFN8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7450DP-T1E3 Виробник : VISHAY 10+ 5D18
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf 08+PBF
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf 03+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DPT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7450dp.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7450dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 5.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.