Продукція > VISHAY > SI7454DDP-T1-GE3
SI7454DDP-T1-GE3

SI7454DDP-T1-GE3 Vishay


si7454ddp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7454DDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7454DDP-T1-GE3 за ціною від 36.71 грн до 155.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7454ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7454ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.02 грн
10+96.56 грн
100+75.27 грн
500+54.41 грн
1000+38.62 грн
5000+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7454ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 51447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.18 грн
10+98.99 грн
100+63.64 грн
500+50.69 грн
1000+45.02 грн
3000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.12 грн
25+121.32 грн
100+94.08 грн
500+76.02 грн
1000+50.93 грн
2500+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7454ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.18 грн
10+95.72 грн
100+64.84 грн
500+48.44 грн
1000+44.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7454ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7454ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.