Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7454DDP-T1-GE3
SI7454DDP-T1-GE3

SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7454ddp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.08 грн
6000+37.90 грн
9000+36.56 грн
15000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI7454DDP-T1-GE3 за ціною від 36.66 грн до 158.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay si7454ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay si7454ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.42 грн
25+118.12 грн
100+94.50 грн
500+78.67 грн
1000+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 29572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.04 грн
10+92.44 грн
100+62.63 грн
500+46.78 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7454ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 18336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.04 грн
10+99.57 грн
100+58.59 грн
500+46.58 грн
1000+42.73 грн
3000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.04 грн
10+100.20 грн
100+68.27 грн
500+47.96 грн
1000+40.57 грн
5000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.42 грн
25+118.12 грн
100+94.50 грн
500+78.67 грн
1000+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 29572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.04 грн
10+92.44 грн
100+62.63 грн
500+46.78 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 18336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+158.04 грн
10+99.57 грн
100+58.59 грн
500+46.58 грн
1000+42.73 грн
3000+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DDP-T1-GE3 VISH-S-A0001142599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7454DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.033 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 44828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+158.04 грн
10+100.20 грн
100+68.27 грн
500+47.96 грн
1000+40.57 грн
5000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.