на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 32.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7454DDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI7454DDP-T1-GE3 за ціною від 37.42 грн до 156.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 50233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 51447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454DDP-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 21A, 150DEG C, 29.7W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 29.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V |
на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7454DDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 19W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |