Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7454DP-T1-E3
SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix

71618.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+57.23 грн
6000+ 53.04 грн
9000+ 51.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7454DP-T1-E3 за ціною від 54.45 грн до 146.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 21887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.38 грн
10+ 101.53 грн
100+ 80.81 грн
500+ 64.17 грн
1000+ 54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71618.pdf MOSFET 100V 40MOHMS@4.5V
на замовлення 7651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.43 грн
10+ 129.75 грн
100+ 90.8 грн
500+ 74.77 грн
1000+ 61.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7454DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній