SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 70.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7454DP-T1-E3 за ціною від 62.45 грн до 163.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7454DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V 40MOHMS@4.5V |
на замовлення 5909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7454DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V |
на замовлення 13635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7454DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SI7454DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SI7454DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7454DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7454DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.8W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |