Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7454DP-T1-E3
SI7454DP-T1-E3

SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix

71618.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7454DP-T1-E3 за ціною від 64.24 грн до 168.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71618.pdf MOSFET 100V 40MOHMS@4.5V
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.65 грн
10+129.35 грн
100+89.83 грн
500+75.49 грн
1000+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 13635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
10+129.12 грн
100+102.37 грн
500+74.38 грн
1000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71618.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71618.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7454dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 Виробник : VISHAY 71618.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 4.8W
Drain current: 7.8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.