SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.79 грн |
| 10+ | 173.89 грн |
| 100+ | 122.19 грн |
| 500+ | 100.81 грн |
| 1000+ | 83.24 грн |
| 3000+ | 77.13 грн |
| 6000+ | 73.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7454DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, On-state resistance: 40mΩ, Power dissipation: 4.8W, Drain current: 7.8A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, Drain-source voltage: 100V.
Інші пропозиції SI7454DP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7454DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
|
| SI7454DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 7.8A; Idm: 30A Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 4.8W Drain current: 7.8A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |