Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7454FDP-T1-RE3

SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Name: SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12837397-3
Price: 86700.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.90 грн
6000+	25.86 грн
9000+	24.86 грн
15000+	22.28 грн
21000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7454FDP-T1-RE3 за ціною від 25.30 грн до 142.26 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI7454FDP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1500+	30.70 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

VISHAY

VISH-S-A0012815732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.67 грн
500+	46.42 грн
1500+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

на замовлення 582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.72 грн
10+	66.87 грн
100+	38.77 грн
500+	30.45 грн
1000+	27.77 грн
3000+	25.30 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 48478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.22 грн
10+	66.66 грн
100+	44.38 грн
500+	32.67 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.26 грн
50+	83.87 грн
100+	61.67 грн
500+	46.42 грн
1500+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1500+	30.70 грн

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	61.67 грн
500+	46.42 грн
1500+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

на замовлення 582 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	107.72 грн
10+	66.87 грн
100+	38.77 грн
500+	30.45 грн
1000+	27.77 грн
3000+	25.30 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 48478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	110.22 грн
10+	66.66 грн
100+	44.38 грн
500+	32.67 грн
1000+	29.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	142.26 грн
50+	83.87 грн
100+	61.67 грн
500+	46.42 грн
1500+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7454FDP-T1-RE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 1500 шт

В кошику од. на суму грн.