Технічний опис SI7454FDP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 39W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7454FDP-T1-RE3 за ціною від 21.89 грн до 140.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0246ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
на замовлення 48766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7454FDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0295ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7454FDP-T1-RE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 23.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 39W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |