Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI7456CDP-T1-GE3
SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si7456cd.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 27.5A 35.7W
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.81 грн
10+105.17 грн
100+69.50 грн
500+55.25 грн
1000+53.34 грн
3000+47.55 грн
6000+47.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456CDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7456CDP-T1-GE3 за ціною від 79.44 грн до 166.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7456cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+166.60 грн
109+114.95 грн
111+113.29 грн
500+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7456cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7456cd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7456cd.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7456cd.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.