Продукція > VISHAY > SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3 Vishay


si7456cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+188.16 грн
109+129.83 грн
111+127.95 грн
500+89.72 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456CDP-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI7456CDP-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7456CDP-T1-GE3 SI7456CDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7456cd.pdf MOSFETs 100V 27.5A 35.7W
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 27.5A 35.7W
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.