| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 188.16 грн |
| 109+ | 129.83 грн |
| 111+ | 127.95 грн |
| 500+ | 89.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7456CDP-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI7456CDP-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI7456CDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V 27.5A 35.7W |
на замовлення 8276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7456CDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 27.5A 35.7W
MOSFETs 100V 27.5A 35.7W
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




