Продукція > VISHAY > SI7456DDP-T1-GE3
SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3 Vishay

si7456ddp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+52.37 грн
273+51.86 грн
275+51.44 грн
282+48.34 грн
283+44.60 грн
500+41.30 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DDP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 35.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SI7456DDP-T1-GE3 за ціною від 39.79 грн до 178.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.49 грн
15+52.37 грн
25+51.86 грн
50+49.61 грн
100+44.76 грн
250+42.81 грн
500+41.30 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7456ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+54.49 грн
15+52.37 грн
25+51.86 грн
50+49.61 грн
100+44.76 грн
250+42.81 грн
500+41.30 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.01 грн
10+109.94 грн
50+83.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET 27AK0999
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 35.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.