Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7456DDP-T1-GE3
SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

si7456ddp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7456DDP-T1-GE3 за ціною від 49.66 грн до 170.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+79.60 грн
178+79.21 грн
191+73.57 грн
250+70.24 грн
500+61.27 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay si7456ddp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.08 грн
10+79.60 грн
25+79.21 грн
100+70.94 грн
250+65.04 грн
500+58.82 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456ddp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.11 грн
10+105.25 грн
100+71.83 грн
500+53.98 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7456ddp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+79.60 грн
178+79.21 грн
191+73.57 грн
250+70.24 грн
500+61.27 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 27.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.08 грн
10+79.60 грн
25+79.21 грн
100+70.94 грн
250+65.04 грн
500+58.82 грн
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 4118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.11 грн
10+105.25 грн
100+71.83 грн
500+53.98 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.