SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix


si7456dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7456DP-T1-E3 за ціною від 67.92 грн до 266.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71603.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.90 грн
10+141.11 грн
100+97.17 грн
500+73.58 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7456dp.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
на замовлення 35798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.28 грн
10+171.41 грн
100+105.58 грн
500+86.95 грн
1000+78.41 грн
3000+76.08 грн
6000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7456dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.