Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7456DP-T1-E3
SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7456dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI7456DP-T1-E3 за ціною від 63.25 грн до 210.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.38 грн
10+131.42 грн
100+90.49 грн
500+68.52 грн
1000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7456dp.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 VISHAY si7456dp.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
SI7456DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.38 грн
10+131.42 грн
100+90.49 грн
500+68.52 грн
1000+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
SI7456DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
Виробник: VISHAY
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.