Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7456DP-T1-E3
SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix

si7456dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7456DP-T1-E3 за ціною від 66.47 грн до 260.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay 71603.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
10+138.11 грн
100+95.10 грн
500+72.01 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7456dp.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI74
на замовлення 35798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.62 грн
10+167.77 грн
100+103.33 грн
500+85.10 грн
1000+76.74 грн
3000+74.46 грн
6000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7456dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.