SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.41 грн |
| 6000+ | 55.99 грн |
| 9000+ | 54.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7456DP-T1-E3 за ціною від 57.47 грн до 145.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7456DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7456DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7456DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7456DP-T1-GE3 |
на замовлення 48210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7456DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7456DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7456DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7456DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.3A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI7456DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7456DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.3A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD |
товар відсутній |