Продукція > VISHAY > SI7456DP-T1-GE3
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3 VISHAY

71603.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7456DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7456DP-T1-GE3 за ціною від 62.45 грн до 233.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71603.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.52 грн
10+144.01 грн
100+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71603.pdf MOSFETs 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.49 грн
10+144.28 грн
100+92.33 грн
500+76.83 грн
1000+66.04 грн
6000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 VISHAY 71603.pdf Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+233.53 грн
50+149.66 грн
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
SI7456DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.52 грн
10+144.01 грн
100+115.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
SI7456DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.49 грн
10+144.28 грн
100+92.33 грн
500+76.83 грн
1000+66.04 грн
6000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
SI7456DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+233.53 грн
50+149.66 грн
100+107.72 грн
500+80.94 грн
1500+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.