Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3

SI7460DP-T1-E3

si7460dp.pdf
Код товару: 49740
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7460DP-T1-E3 за ціною від 75.95 грн до 279.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay si7460dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.04 грн
10+124.23 грн
25+123.62 грн
50+118.59 грн
100+92.10 грн
250+87.53 грн
500+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay si7460dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+147.04 грн
114+124.23 грн
115+118.59 грн
137+92.10 грн
250+87.53 грн
500+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.98 грн
10+176.60 грн
100+123.67 грн
500+94.83 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7460dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf 09+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.04 грн
10+124.23 грн
25+123.62 грн
50+118.59 грн
100+92.10 грн
250+87.53 грн
500+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+147.04 грн
114+124.23 грн
115+118.59 грн
137+92.10 грн
250+87.53 грн
500+75.95 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.98 грн
10+176.60 грн
100+123.67 грн
500+94.83 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.