на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 128.96 грн |
| 114+ | 108.96 грн |
| 115+ | 104.01 грн |
| 137+ | 80.78 грн |
| 250+ | 76.77 грн |
| 500+ | 66.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7460DP-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7460DP-T1-E3 за ціною від 71.37 грн до 292.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 6959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
05+ QFN-8 |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 Код товару: 49740
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 18A Power dissipation: 5.4W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |