SI7460DP-T1-E3


si7460dp.pdf
Код товару: 49740
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7460DP-T1-E3 за ціною від 71.89 грн до 283.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7460dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.06 грн
10+134.55 грн
100+83.87 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.87 грн
10+179.06 грн
100+125.39 грн
500+96.15 грн
1000+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf 09+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.06 грн
10+134.55 грн
100+83.87 грн
500+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+283.87 грн
10+179.06 грн
100+125.39 грн
500+96.15 грн
1000+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.