SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 63.47 грн |
| 6000+ | 58.82 грн |
| 9000+ | 56.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI7460DP-T1-E3 за ціною від 60.38 грн до 153.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 11873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 14535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
05+ QFN-8 |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 Код товару: 49740 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI7460DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.1µC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 |
товар відсутній |