Продукція > VISHAY > SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3

SI7460DP-T1-E3 Vishay

si7460dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+118.05 грн
10+99.74 грн
25+99.25 грн
50+95.21 грн
100+73.94 грн
250+70.27 грн
500+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7460DP-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7460DP-T1-E3 за ціною від 65.66 грн до 284.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7460dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+127.13 грн
114+107.41 грн
115+102.53 грн
137+79.63 грн
250+75.67 грн
500+65.66 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7460dp.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.56 грн
10+140.44 грн
100+87.55 грн
500+75.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.90 грн
10+179.71 грн
100+125.85 грн
500+96.50 грн
1000+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7460dp.pdf 05+ QFN-8
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7460dp.pdf 09+
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7460dp.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3
Код товару: 49740
Додати до обраних Обраний товар

si7460dp.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7460dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 SI7460DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.