на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 60.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7460DP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7460DP-T1-GE3 за ціною від 64.77 грн до 235.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 5843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V |
на замовлення 3408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 18A Power dissipation: 5.4W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI7460DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 18A Power dissipation: 5.4W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 60V |
товару немає в наявності |