Продукція > VISHAY > SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3 Vishay

si7461dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7461DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 73.09 грн до 265.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+83.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+118.98 грн
112+108.84 грн
113+107.86 грн
127+92.67 грн
250+85.35 грн
500+81.11 грн
1000+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+127.48 грн
10+116.61 грн
25+115.57 грн
100+99.29 грн
250+91.44 грн
500+86.91 грн
1000+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.56 грн
500+98.14 грн
1000+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+205.42 грн
10+136.92 грн
11+88.64 грн
29+83.90 грн
500+81.52 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.25 грн
10+165.15 грн
100+100.30 грн
500+86.62 грн
1000+82.06 грн
3000+73.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.50 грн
10+170.63 грн
11+106.37 грн
29+100.68 грн
500+97.83 грн
1000+96.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.59 грн
10+186.67 грн
100+131.26 грн
500+104.47 грн
1000+94.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 22843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.48 грн
10+167.00 грн
100+116.19 грн
500+88.67 грн
1000+82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3
Код товару: 196585
Додати до обраних Обраний товар

si7461dp.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.