Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3

si7461dp.pdf
Код товару: 196585
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 78.15 грн до 252.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.17 грн
10+151.98 грн
25+150.46 грн
100+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.17 грн
93+151.98 грн
94+150.46 грн
128+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.54 грн
100+143.89 грн
500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.98 грн
10+132.21 грн
100+93.72 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 22843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.61 грн
10+158.90 грн
100+110.56 грн
500+84.37 грн
1000+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+80.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.17 грн
10+151.98 грн
25+150.46 грн
100+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+182.17 грн
93+151.98 грн
94+150.46 грн
128+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+202.54 грн
100+143.89 грн
500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.98 грн
10+132.21 грн
100+93.72 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 22843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.61 грн
10+158.90 грн
100+110.56 грн
500+84.37 грн
1000+78.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 VISH-S-A0001142051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.