Продукція > VISHAY SILICONIX > SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI7461DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1995566-3
Price: 61.53 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 41500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	68.67 грн
6000+	63.64 грн
9000+	61.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 65.32 грн до 183.76 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	70.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	72.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	76.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	79.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	81.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	97.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm

на замовлення 31969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	107.44 грн
500+	84.63 грн
1000+	67.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	127.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET

на замовлення 6015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	127.29 грн
9+	90.13 грн
25+	85.32 грн
1000+	82.56 грн
3000+	81.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	131.67 грн
10+	116.61 грн
25+	115.45 грн
100+	95.94 грн
250+	87.94 грн
500+	75.41 грн
1000+	71.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	136.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
83+	141.8 грн
94+	125.59 грн
95+	124.33 грн
110+	103.32 грн
250+	94.7 грн
500+	81.21 грн
1000+	77.19 грн

Мінімальне замовлення: 83

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 42077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	152.19 грн
10+	121.78 грн
100+	96.95 грн
500+	76.99 грн
1000+	65.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

на замовлення 12898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	165.68 грн
10+	146.6 грн
100+	102.38 грн
500+	83.88 грн
1000+	70.01 грн
3000+	68.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 2869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
70+	168.12 грн
73+	161.72 грн
100+	156.23 грн
250+	146.08 грн
500+	131.58 грн
1000+	123.23 грн
2500+	120.51 грн

Мінімальне замовлення: 70

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 6015 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	176.94 грн
3+	158.62 грн
9+	108.16 грн
25+	102.38 грн
1000+	99.08 грн
3000+	98.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 31969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	183.76 грн
10+	135.6 грн
100+	107.44 грн
500+	84.63 грн
1000+	67.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI7461DP-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

товар відсутній

SI7461DP-T1-GE3
Код товару: 196585

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній