Продукція > VISHAY > SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3 Vishay

si7461dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7461DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 70.47 грн до 253.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc72567.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 22891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+82.39 грн
1000+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.69 грн
10+86.93 грн
11+83.90 грн
29+79.37 грн
1000+77.10 грн
3000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3
Код товару: 196585
Додати до обраних Обраний товар

si7461dp.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.22 грн
10+108.33 грн
11+100.69 грн
29+95.24 грн
1000+92.52 грн
3000+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+122.70 грн
10+109.21 грн
25+108.59 грн
100+90.24 грн
250+82.71 грн
500+76.98 грн
1000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay doc72567.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+129.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+132.13 грн
104+117.61 грн
105+116.94 грн
121+97.18 грн
250+89.08 грн
500+82.90 грн
1000+80.29 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+142.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+145.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7461dp.pdf MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.02 грн
10+149.38 грн
100+103.04 грн
500+87.81 грн
1000+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7461dp.pdf Description: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.68 грн
10+164.44 грн
100+124.55 грн
500+93.73 грн
1000+80.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
на замовлення 22843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.55 грн
10+159.49 грн
100+110.97 грн
500+84.68 грн
1000+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7461dp.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.