Інші пропозиції SI7461DP-T1-GE3 за ціною від 74.55 грн до 260.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -60A Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.6A Gate charge: 0.19µC On-state resistance: 14.5mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 1757 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta) FET Type: P-Channel Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V |
на замовлення 22843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI7461DP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,6 А, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 14,4 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: POWERPAK SOIC-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |