на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 97.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7463DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI7463DP-T1-E3 за ціною від 92.23 грн до 299.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V |
на замовлення 18913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
на замовлення 5289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
товару немає в наявності |