| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 181.29 грн |
| 10+ | 152.60 грн |
| 25+ | 151.75 грн |
| 100+ | 128.91 грн |
| 250+ | 118.19 грн |
| 500+ | 108.14 грн |
| 1000+ | 102.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7463DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.
Інші пропозиції SI7463DP-T1-E3 за ціною від 101.90 грн до 271.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V |
на замовлення 18913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 181.29 грн |
| 93+ | 151.75 грн |
| 106+ | 128.91 грн |
| 250+ | 118.19 грн |
| 500+ | 108.14 грн |
| 1000+ | 102.82 грн |
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 268.88 грн |
| 10+ | 193.33 грн |
| 100+ | 156.15 грн |
| 250+ | 148.20 грн |
| 500+ | 114.32 грн |
| 1000+ | 101.90 грн |
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 271.02 грн |
| 73+ | 194.87 грн |
| 100+ | 157.40 грн |
| 250+ | 149.38 грн |
| 500+ | 115.23 грн |
| 1000+ | 102.72 грн |
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
на замовлення 18913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7463DP-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)