на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 80.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI7463DP-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI7463DP-T1-E3 за ціною від 93.89 грн до 225.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V |
на замовлення 17390 шт: термін постачання 327-336 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 13850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 140nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI7463DP-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI7463DP-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 1.2W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 140nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |