Продукція > VISHAY > SI7463DP-T1-E3
SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3 Vishay

si7463dp.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7463DP-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7463DP-T1-E3 за ціною від 81.61 грн до 274.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+127.61 грн
500+99.38 грн
1500+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+145.20 грн
10+122.21 грн
25+121.54 грн
100+103.25 грн
250+94.66 грн
500+86.61 грн
1000+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+156.36 грн
93+130.89 грн
106+111.19 грн
250+101.94 грн
500+93.27 грн
1000+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.34 грн
10+154.84 грн
100+125.06 грн
250+118.69 грн
500+91.56 грн
1000+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+233.75 грн
73+168.07 грн
100+135.75 грн
250+128.84 грн
500+99.39 грн
1000+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 13541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+242.05 грн
50+166.31 грн
100+127.61 грн
500+99.38 грн
1500+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si7463dp.pdf MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
на замовлення 18913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.02 грн
10+167.96 грн
100+110.82 грн
250+110.09 грн
500+94.67 грн
1000+88.07 грн
3000+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
на замовлення 5289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.69 грн
10+173.00 грн
100+120.90 грн
500+92.58 грн
1000+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 Виробник : VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.