SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


si7463dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+96.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI7463DP-T1-GE3 за ціною від 89.62 грн до 302.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.49 грн
500+104.73 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
на замовлення 8556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.95 грн
10+173.77 грн
100+125.84 грн
500+98.52 грн
1000+90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000186115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+302.97 грн
10+198.41 грн
100+137.49 грн
500+104.73 грн
1000+89.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : Vishay si7463dp.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si7463dp.pdf MOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.